* الجزيرة - الترجمة
في خطوة جادة لجعل رقائق الذاكرة متساوية في الأداء مع أجهزة المعالجة الدقيقة أعلن قسم المايكرو الكترونيك الالكترونيات الدقيقة بشركة IBM مؤخرا عن تصميمه لخارطة طريق لرقائق ذاكرة المستقبل.
وتصادفت تلك الخطوة مع اعلان من منتجي الرقيقة 11 DRAM الذاكرة العشوائية الديناميكية ومن هؤلاء المنتجين شركة فوجيتسو ومايكرو الكترونيكس ومايكرون الكترونيكس وميتسوبيشي الكترونيكس أمريكا و NEC USA وسامسونج الكترونيك أمريكا التي وعدت فيه بدمج تقنية معدل المعلومات المزدوجة في اقراص المستقبل SDRAM وهي أقراص الذاكرة العشوائية الديناميكية المتزامنة .
وقد جرى تطوير القرص الجديد بواسطة مجلس هندسة الأجهزة الالكترونية المشتركة لIEEE ويهدف القياس DDR SDRAM الى دراسة الطلب المتزايد للمعلومات العالية الموضوعة بواسطة وحدات المعالجة المركزية الحالية.
ومن المتوقع ان تظهر رقائق الذاكرة القائمة على قياس DDR في منتصف هذا العام 1999م وستكون الرقائق قادرة على التنافس مع تقنية حافلة لنظام الذاكرة العشوائية الديناميكية من شركة رامباس التي تساندها شركة انتيل كورب كما ان هذه الذاكرة العشوائية الديناميكية من رامباس سيجري اختيارها للتنفيذ في منتصف العام الحالي 1999م.
وستدمج شركة IBM تقنية DDR لتدخلها في عروض الذاكرة على مدار السنوات الخمس القادمة طبقا لما ذكره مسؤولو الشركة وتشمل خطط الانتاج النوعي 5,175-Micron في أواخر العام القادم و0.15- Micron وأقراص الذاكرة العشوائية الديناميكية المتزامنة SDRAM لنظام وقياس 25 MB DDR الذي من المتوقع ظهوره في عام 2001 ميلادي على حد قول المسؤولين في قسم الالكترونيات الدقيقة بشركة IBM في فيش كيل بولاية نيويورك.
وتقوم شركة IBM بتحضير عينات من 0.20-micron و266MB DDR SDRAM كي يتم عملها بأحجام كبيرة في منتصف هذا العام وبالاضافة لذلك فإن IBM ستقوم بتصنيع نماذج أولية من 0.20-micron و 64 MB DDR SDRAM على حد قول المسؤولين بالشركة.